电镀金刚石磨棒厂家

电阻率及耐腐蚀性

表面电阻率是称量膜层耐蚀性的重要指标。类金刚石膜表面电阻高，在腐蚀介质中表面出极高的化学惰性，电镀金刚石磨棒厂家，从而保护基底金属免遭外界腐蚀介质的溶蚀。一般含氢的DLC膜电阴率比不含氢的DLC膜的高，这也许是氢稳定了sp3键的缘故。沉积工艺对DLC膜遥电阴率有影响，另外离子束能量对类金刚石膜层电阴率也有较大的影响，随着离子束能量增加大阴率增大。

金刚石的成核机理

在研究金刚石的成核机理等基础理论方面是较为完善的一种。尽管合成速度较慢约为1~2um/h，但沉积的金刚石薄膜质量高，与基体结合好。

近发展的等离子体辅助热丝CVD法(EACVD)，不仅获得远比一般热丝CVD法更高的沉积速度(10—20um/h)，而且金刚石膜的质量得到显著提高。

先将真空室抽成真空，再将热丝加热到1800℃~2400℃的高温，通往含碳气源和H2，气体通过热丝时被分解成原子H，CH3，C2H2等基团，这些活性基团在800℃~1100℃的基体上反应形成金刚石晶核，再生长成金刚石膜。其中丝的材质、温度、丝与基体间的距离、气体种类比例、基体温度等对金刚石形核和生长都影响。

影响金刚石成核生长的两方面

磨料磨具中从影响金刚石成核生长的热力学和动力学方面考虑，主要有：衬底(基片)材料、衬底(基片)的预处理、衬底(基片)的炉内处理、沉积气源(气体中碳的浓度)、衬底(基片)温度、气体压强以及氢原子在沉积中的作用。

在这些因素中，对成膜的质量，沉积速率都有影响，但是由于沉膜过程的复杂，各种不同的制备方法与工艺参数又互相关联，彼此之间又有差异，各工艺参数对学和金刚石膜的质量和沉积速率的影响都还没有特定的规律和精辟的解释。